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      碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)鏈

      文章出處:粉體網(wǎng)網(wǎng)責任編輯:作者:粉體網(wǎng)人氣:-發(fā)表時(shí)間:2022-05-13 16:42:00【

      碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)鏈主要包括“碳化硅高純粉料→單晶襯底→外延片→功率器件→模塊封裝→終端應用”等環(huán)節。

      1碳化硅高純粉料

      碳化硅高純粉料是采用PVT法生長(cháng)碳化硅單晶的原料,其產(chǎn)品純度直接影響碳化硅單晶的生長(cháng)質(zhì)量以及電學(xué)性能。

      碳化硅粉料有多種合成方式,主要有固相法、液相法和氣相法3種。其中,固相法包括碳熱還原法、自蔓延高溫合成法和機械粉碎法;液相法包括溶膠-凝膠法和聚合物熱分解法;氣相法包括化學(xué)氣相沉積法、等離子體法和激光誘導法等。

      2單晶襯底

      單晶襯底是半導體的支撐材料、導電材料和外延生長(cháng)基片。生產(chǎn)碳化硅單晶襯底的關(guān)鍵步驟是單晶的生長(cháng),也是碳化硅半導體材料應用的主要技術(shù)難點(diǎn),是產(chǎn)業(yè)鏈中技術(shù)密集型和資金密集型的環(huán)節。目前,SiC單晶生長(cháng)方法有物理氣相傳輸法(PVT法)、液相法(LPE法)、高溫化學(xué)氣相沉積法(HT-CVD法)等。
       

      碳化硅單晶生長(cháng)方法對比表


       

      3外延片

      碳化硅外延片,是指在碳化硅襯底上生長(cháng)了一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶薄膜(外延層)的碳化硅片。實(shí)際應用中,寬禁帶半導體器件幾乎都做在外延層上,碳化硅晶片本身只作為襯底,包括GaN外延層的襯底。

      目前,碳化硅單晶襯底上的SiC薄膜制備主要有化學(xué)氣相淀積法(CVD)、液相法(LPE)、升華法、濺射法、MBE法等多種方法。其中,CVD法是制備高質(zhì)量碳化硅晶體薄膜材料與器件的主要方法。

      4功率器件

      采用碳化硅材料制造的寬禁帶功率器件,具有耐高溫、高頻、高效的特性。

      按照器件工作形式,SiC功率器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管。SiC功率器件與硅基功率器件一樣,均采用微電子工藝加工而成。

      從碳化硅晶體材料來(lái)看,4H-SiC和6H-SiC在半導體領(lǐng)域的應用最廣,其中4H-SiC主要用于制備高頻、高溫、大功率器件,而6H-SiC主要用于生產(chǎn)光電子領(lǐng)域的功率器件。

      5模塊封裝

      模塊封裝可以?xún)?yōu)化碳化硅功率器件使用過(guò)程中的性能和可靠性,可靈活地將功率器件與不同的應用方案結合。

      目前,量產(chǎn)階段的相關(guān)功率器件封裝類(lèi)型基本沿用了硅功率器件。碳化硅二極管的常用封裝類(lèi)型以TO220為主,碳化硅MOSFET的常用封裝類(lèi)型以TO247-3為主,少數采用TO247-4、D2PAK等新型封裝方式。

      6終端應用

      碳化硅器件具有體積小、功率大、頻率高、能耗低、損耗小、耐高壓等優(yōu)點(diǎn)。當前主要應用領(lǐng)域:各類(lèi)電源及服務(wù)器,光伏逆變器,風(fēng)電逆變器,新能源汽車(chē)的車(chē)載充電機、電機驅動(dòng)系統、直流充電樁,變頻空調,軌道交通,軍工等。

       

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